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  为提高继电保护装置的抗干扰能力，在（）屏柜下层的电缆室（或电缆沟道）内，沿屏柜布置的方向逐排敷设截面积不小于100mm2的铜排（缆），将铜排（缆）的首端、末端分别连接，形成（）内的等电位地网。（）。

  2024-07-23
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  为提高继电保护装置的抗干扰能力，在保护室屏柜下层的（）内，沿屏柜布置的方向逐排敷设截面积不小于100mm2的铜排（缆），将铜排（缆）的首端、末端分别连接，形成保护室内的等电位地网。（）

  2024-07-23
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  为提高继电保护装置的抗干扰能力，在保护室屏柜下层的电缆室（或电缆沟道）内，沿屏柜布置的方向逐排敷设截面积不小于（）的铜排（缆），将铜排（缆）的首端、末端分别连接，形成保护室内的等电位地网。（）

  2024-07-23
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  为提高继电保护装置的抗干扰能力，在保护室屏柜下层的电缆室（或电缆沟道）内，沿屏柜布置的方向（）敷设截面积不小于100mm2的铜排（缆），将铜排（缆）的首端、末端分别连接，形成保护室内的等电位地网。（）

  2024-07-23
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  为提高继电保护装置的抗干扰能力，在保护室屏柜下层的电缆室（或电缆沟道）内，沿屏柜布置的方向逐排敷设截面积不小于100mm2的铜排（缆），将铜排（缆）的首端、末端分别连接，形成保护室内的（）地网。（）。

  2024-07-23
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  为提高继电保护装置的抗干扰能力，在保护室屏柜下层的电缆室（或电缆沟道）内，沿屏柜布置的方向逐排敷设截面积不小于100mm2的铜排（缆），将铜排（缆）的（），形成保护室内的等电位地网。（）。

  2024-07-23
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  为提高继电保护装置的抗干扰能力，在保护室屏柜下层的电缆室（或电缆沟道）内，沿屏柜布置的方向逐排敷设截面积不小于100mm2的（），将（）的首端、末端分别连接，形成保护室内的等电位地网。（）。（）

  2024-07-23
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  微机保护和控制装置的屏柜下部应设有截面积不小于100mm2的铜排（不要求与保护屏绝缘），屏柜内所有装置、电缆屏蔽层、屏柜门体的接地端应用截面积不小于（）的多股铜线与其相连，铜排应用截面不小于（）的铜缆接至保护室内的等电位接地网。（）。

  2024-07-24
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  微机保护和控制装置的屏柜下部应设有截面积不小于100mm2的铜排（不要求与保护屏绝缘），屏柜内所有装置、电缆屏蔽层、屏柜门体的接地端应用截面积不小于（）mm2的多股铜线与其相连。

  2024-07-30
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  保护装置柜（屏）下部应设有截面不小于100mm2的接地铜排，且柜（屏）上装置的接地端子应用截面不小于4mm2的多股铜线和柜（屏）内接地铜排相连

  2024-07-24